Справочник MOSFET. TMD2N40

 

TMD2N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMD2N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TMD2N40

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMD2N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  trinnotech
 tmd2n40 tmu2n40.pdf pdf_icon

TMD2N40

TMD2N40/TMU2N40TMD2N40G/TMU2N40GVDSS = 440 V @TjmaxFeaturesID = 2A Low gate chargeRDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche testedRDS(on) = 2.75 W(typ) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RDS(on) = 2.80 W(typ) @ VGS= 7.5 V RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationD-PAKDI-PAKGSDevice Package Marking RemarkTMD2N40 /

 9.1. Size:474K  trinnotech
 tmd2n60z tmu2n60z.pdf pdf_icon

TMD2N40

TMD2N60Z(G)/TMU2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 2A

 9.2. Size:455K  trinnotech
 tmd2n60az tmu2n60az.pdf pdf_icon

TMD2N40

TMD2N60AZ(G)/TMU2N60AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

 9.3. Size:449K  trinnotech
 tmd2n65az tmu2n65az.pdf pdf_icon

TMD2N40

TMD2N65AZ(G)/TMU2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMAN23N50 , TMAN23N50A , TMAN7N90 , TMAN8N80 , TMAN9N90 , TMAN9N90AZ , TMD16N25Z , TMD18N20Z , IRF840 , TMD2N60AZ , TMD2N60Z , TMD2N65AZ , TMD3N40ZG , TMD3N50AZ , TMD3N50Z , TMD3N80G , TMD3N90 .

History: DHS025N88E | TMD2N60AZ | IXFP18N60X

 

 
Back to Top

 


 
.