TMD2N65AZ Todos los transistores

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TMD2N65AZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMD2N65AZ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 52 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 8.5 nC

Tiempo de elevación (tr): 17 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 4.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

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TMD2N65AZ Datasheet (PDF)

1.1. tmd2n65az.pdf Size:449K _upd-mosfet

TMD2N65AZ
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TMD2N65AZ(G)/TMU2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET  Low gate charge BVDSS ID RDS(on)  100% avalanche tested 650V 1.8A < 4.6W  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification  Improved ESD performance D-PAK I-PAK Device Package Marking Remark TMD2N65AZ / TMU2N65AZ D-PAK/I-PAK TMD2N65AZ / TMU2N65AZ RoHS TMD

4.1. tmd2n60z.pdf Size:474K _upd-mosfet

TMD2N65AZ
TMD2N65AZ

TMD2N60Z(G)/TMU2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX  Low gate charge 600V 2A <4.0W  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification D-PAK I-PAK Device Package Marking Remark TMD2N60Z / TMU2N60Z D-PAK/I-PAK TMD2N60Z / TMU2N60Z RoHS TMD2N60ZG / TMU2N60ZG D-PAK/I-PAK TMD2N6

4.2. tmd2n60az.pdf Size:455K _upd-mosfet

TMD2N65AZ
TMD2N65AZ

TMD2N60AZ(G)/TMU2N60AZ(G) N-channel MOSFET Features  Low gate charge BVDSS ID RDS(on)  100% avalanche tested 600V 2.0A < 4.0W  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification  Improved ESD performance D-PAK I-PAK Device Package Marking Remark TMD2N60AZ / TMU2N60AZ D-PAK/I-PAK TMD2N60AZ / TMU2N60AZ RoHS TMD2N

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