TMD2N65AZ - аналоги и даташиты транзистора

 

TMD2N65AZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TMD2N65AZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.6 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TMD2N65AZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMD2N65AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:449K  trinnotech
 tmd2n65az tmu2n65az.pdf pdf_icon

TMD2N65AZ

TMD2N65AZ(G)/TMU2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

 8.1. Size:474K  trinnotech
 tmd2n60z tmu2n60z.pdf pdf_icon

TMD2N65AZ

TMD2N60Z(G)/TMU2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 2A

 8.2. Size:455K  trinnotech
 tmd2n60az tmu2n60az.pdf pdf_icon

TMD2N65AZ

TMD2N60AZ(G)/TMU2N60AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

 8.3. Size:640K  cn wuxi unigroup
 tma2n60h tmd2n60h tmt2n60h tmu2n60h.pdf pdf_icon

TMD2N65AZ

TMA2N60H,TMD2N60H,TMT2N60H,TMU2N60H Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Info

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMAN8N80 , TMAN9N90 , TMAN9N90AZ , TMD16N25Z , TMD18N20Z , TMD2N40 , TMD2N60AZ , TMD2N60Z , IRF540N , TMD3N40ZG , TMD3N50AZ , TMD3N50Z , TMD3N80G , TMD3N90 , TMD4N60 , TMD4N60AZ , TMD4N65AZ .

 

 
Back to Top

 


 
.