TMD2N65AZ - описание и поиск аналогов

 

TMD2N65AZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMD2N65AZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.6 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TMD2N65AZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMD2N65AZ даташит

 ..1. Size:449K  trinnotech
 tmd2n65az tmu2n65az.pdf pdf_icon

TMD2N65AZ

TMD2N65AZ(G)/TMU2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

 8.1. Size:474K  trinnotech
 tmd2n60z tmu2n60z.pdf pdf_icon

TMD2N65AZ

TMD2N60Z(G)/TMU2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 2A

 8.2. Size:455K  trinnotech
 tmd2n60az tmu2n60az.pdf pdf_icon

TMD2N65AZ

TMD2N60AZ(G)/TMU2N60AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

 8.3. Size:640K  cn wuxi unigroup
 tma2n60h tmd2n60h tmt2n60h tmu2n60h.pdf pdf_icon

TMD2N65AZ

TMA2N60H,TMD2N60H,TMT2N60H,TMU2N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Info

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMAN8N80 , TMAN9N90 , TMAN9N90AZ , TMD16N25Z , TMD18N20Z , TMD2N40 , TMD2N60AZ , TMD2N60Z , IRF540 , TMD3N40ZG , TMD3N50AZ , TMD3N50Z , TMD3N80G , TMD3N90 , TMD4N60 , TMD4N60AZ , TMD4N65AZ .

History: E10P02 | APQ02SN65AH | SI4447DY

 

 

 

 

↑ Back to Top
.