TMD630Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMD630Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de TMD630Z MOSFET
TMD630Z Datasheet (PDF)
tmd630z tmu630z.pdf

TMD630Z(G)/TMU630Z(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A
Otros transistores... TMD4N65AZ , TMD4N65Z , TMD5N40ZG , TMD5N50 , TMD5N50G , TMD5N60AZ , TMD5N60Z , AOD434 , IRF9540 , TMD6N65G , TMD6N70 , TMD7N60Z , TMD7N65AZ , TMD7N65Z , TMD830 , TMD830AZ , TMD830Z .
History: SI4831DY | SMD4N65 | BRD7002K2 | SLF8N60C | SWD4N60DC | SM1A06NSKP | NTMS5P02R2SG
History: SI4831DY | SMD4N65 | BRD7002K2 | SLF8N60C | SWD4N60DC | SM1A06NSKP | NTMS5P02R2SG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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