TMD630Z. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TMD630Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для TMD630Z
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TMD630Z даташит
tmd630z tmu630z.pdf
TMD630Z(G)/TMU630Z(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A
Другие MOSFET... TMD4N65AZ , TMD4N65Z , TMD5N40ZG , TMD5N50 , TMD5N50G , TMD5N60AZ , TMD5N60Z , AOD434 , 2N7000 , TMD6N65G , TMD6N70 , TMD7N60Z , TMD7N65AZ , TMD7N65Z , TMD830 , TMD830AZ , TMD830Z .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726