TMD7N60Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMD7N60Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Disipación total del dispositivo (Pd): 120 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 600 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 5 V

Carga de compuerta (Qg): 19 nC

Tiempo de elevación (tr): 35 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 104 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.2 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

TMD7N60Z Datasheet (PDF)

0.1. tmd7n60z tmu7n60z.pdf Size:457K _trinnotech

TMD7N60Z(G)/TMU7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 7A

8.1. tmd7n65az tmu7n65az.pdf Size:461K _trinnotech

TMD7N65AZ(G)/TMU7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

8.2. tmd7n65z tmu7n65z.pdf Size:463K _trinnotech

TMD7N65Z(G)/TMU7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 650V 6.5A