Справочник MOSFET. TMD7N60Z

 

TMD7N60Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: TMD7N60Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 19 nC

Время нарастания (tr): 35 ns

Выходная емкость (Cd): 104 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TMD7N60Z

 

 

TMD7N60Z Datasheet (PDF)

0.1. tmd7n60z tmu7n60z.pdf Size:457K _trinnotech

TMD7N60Z
TMD7N60Z

TMD7N60Z(G)/TMU7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 7A

8.1. tmd7n65az tmu7n65az.pdf Size:461K _trinnotech

TMD7N60Z
TMD7N60Z

TMD7N65AZ(G)/TMU7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

8.2. tmd7n65z tmu7n65z.pdf Size:463K _trinnotech

TMD7N60Z
TMD7N60Z

TMD7N65Z(G)/TMU7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 650V 6.5A

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top