Справочник MOSFET. TMD7N60Z

 

TMD7N60Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMD7N60Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TMD7N60Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMD7N60Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:457K  trinnotech
 tmd7n60z tmu7n60z.pdf pdf_icon

TMD7N60Z

TMD7N60Z(G)/TMU7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 7A

 7.1. Size:559K  cn wuxi unigroup
 tma7n60h tmc7n60h tmd7n60h tmu7n60h.pdf pdf_icon

TMD7N60Z

TMA7N60H, TMC7N60H, TMD7N60H, TMU7N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TM

 8.1. Size:461K  trinnotech
 tmd7n65az tmu7n65az.pdf pdf_icon

TMD7N60Z

TMD7N65AZ(G)/TMU7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

 8.2. Size:463K  trinnotech
 tmd7n65z tmu7n65z.pdf pdf_icon

TMD7N60Z

TMD7N65Z(G)/TMU7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 650V 6.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMD5N50 , TMD5N50G , TMD5N60AZ , TMD5N60Z , AOD434 , TMD630Z , TMD6N65G , TMD6N70 , STP75NF75 , TMD7N65AZ , TMD7N65Z , TMD830 , TMD830AZ , TMD830Z , TMD8N25Z , TMD8N50Z , TMD8N60AZ .

 

 
Back to Top

 


 
.