TMD7N65AZ Todos los transistores

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TMD7N65AZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMD7N65AZ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 120 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 46 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 103 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.4 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

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TMD7N65AZ Datasheet (PDF)

1.1. tmd7n65az tmu7n65az.pdf Size:461K _update

TMD7N65AZ
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TMD7N65AZ(G)/TMU7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET  Low gate charge BVDSS ID RDS(on)  100% avalanche tested 650V 6.5A <1.4W  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification  Improved ESD performance D-PAK I-PAK Device Package Marking Remark TMD7N65AZ / TMU7N65AZ D-PAK/I-PAK TMD7N65AZ / TMU7N65AZ RoHS TMD7N6

3.1. tmd7n65z tmu7n65z.pdf Size:463K _update

TMD7N65AZ
TMD7N65AZ

TMD7N65Z(G)/TMU7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX  Low gate charge 650V 6.5A <1.4W  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification D-PAK I-PAK Device Package Marking Remark TMD7N65Z / TMU7N65Z D-PAK/I-PAK TMD7N65Z / TMU7N65Z RoHS TMD7N65ZG / TMU7N65ZG D-PAK/I-PAK TMD7

 4.1. tmd7n60z tmu7n60z.pdf Size:457K _update

TMD7N65AZ
TMD7N65AZ

TMD7N60Z(G)/TMU7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX  Low gate charge 600V 7A <1.2W  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification D-PAK I-PAK Device Package Marking Remark TMD7N60Z / TMU7N60Z D-PAK/I-PAK TMD7N60Z / TMU7N60Z RoHS TMD7N60ZG / TMU7N60ZG D-PAK/I-PAK TMD7N6

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