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TMD7N65AZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMD7N65AZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 103 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET TMD7N65AZ

 

Principales características: TMD7N65AZ

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TMD7N65AZ

TMD7N65AZ(G)/TMU7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

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TMD7N65AZ

TMD7N65Z(G)/TMU7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 650V 6.5A

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TMD7N65AZ

TMA7N65H, TMP7N65H, TMD7N65H, TMU7N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V N-Channel MOSFET FEATURES l Fast switching l 100% avalanche tested l Improved dv/dt capability APPLICATIONS l Switch Mode Power Supply (SMPS) l Uninterruptible Power Supply (UPS) l Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA7N65H TO-220F A7N65H TM

 8.1. Size:457K  trinnotech
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TMD7N65AZ

TMD7N60Z(G)/TMU7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 7A

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