TMD7N65AZ - описание и поиск аналогов

 

TMD7N65AZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMD7N65AZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TMD7N65AZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMD7N65AZ даташит

 ..1. Size:461K  trinnotech
 tmd7n65az tmu7n65az.pdf pdf_icon

TMD7N65AZ

TMD7N65AZ(G)/TMU7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

 7.1. Size:463K  trinnotech
 tmd7n65z tmu7n65z.pdf pdf_icon

TMD7N65AZ

TMD7N65Z(G)/TMU7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 650V 6.5A

 7.2. Size:1062K  cn wuxi unigroup
 tma7n65h tmp7n65h tmd7n65h tmu7n65h.pdf pdf_icon

TMD7N65AZ

TMA7N65H, TMP7N65H, TMD7N65H, TMU7N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V N-Channel MOSFET FEATURES l Fast switching l 100% avalanche tested l Improved dv/dt capability APPLICATIONS l Switch Mode Power Supply (SMPS) l Uninterruptible Power Supply (UPS) l Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA7N65H TO-220F A7N65H TM

 8.1. Size:457K  trinnotech
 tmd7n60z tmu7n60z.pdf pdf_icon

TMD7N65AZ

TMD7N60Z(G)/TMU7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 7A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMD5N50G , TMD5N60AZ , TMD5N60Z , AOD434 , TMD630Z , TMD6N65G , TMD6N70 , TMD7N60Z , IRFP250N , TMD7N65Z , TMD830 , TMD830AZ , TMD830Z , TMD8N25Z , TMD8N50Z , TMD8N60AZ , TMP10N60 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.