TMD7N65AZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TMD7N65AZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для TMD7N65AZ
TMD7N65AZ Datasheet (PDF)
tmd7n65az tmu7n65az.pdf

TMD7N65AZ(G)/TMU7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A
tmd7n65z tmu7n65z.pdf

TMD7N65Z(G)/TMU7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 650V 6.5A
tma7n65h tmp7n65h tmd7n65h tmu7n65h.pdf

TMA7N65H, TMP7N65H, TMD7N65H, TMU7N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company650V N-Channel MOSFETFEATURESl Fast switchingl 100% avalanche testedl Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONSl Switch Mode Power Supply (SMPS)l Uninterruptible Power Supply (UPS)l Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingTMA7N65H TO-220F A7N65HTM
tmd7n60z tmu7n60z.pdf

TMD7N60Z(G)/TMU7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 7A
Другие MOSFET... TMD5N50G , TMD5N60AZ , TMD5N60Z , AOD434 , TMD630Z , TMD6N65G , TMD6N70 , TMD7N60Z , STP75NF75 , TMD7N65Z , TMD830 , TMD830AZ , TMD830Z , TMD8N25Z , TMD8N50Z , TMD8N60AZ , TMP10N60 .
History: UTN3055 | IRFP9150 | 2SK1662M
History: UTN3055 | IRFP9150 | 2SK1662M



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet