TMD830 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMD830
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de TMD830 MOSFET
TMD830 Datasheet (PDF)
tmd830 tmu830.pdf
TMD830(G)/TMU830(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 4.5A
tmd830az tmu830az.pdf
TMD830AZ(G)/TMU830AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A
tmd830z tmu830z.pdf
TMD830Z(G)/TMU830Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A
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History: IRLTS2242PBF | FDB86363-F085 | IPN80R1K2P7 | IPP034N08N5 | RD3L080SN | WPM3005 | SFG150N10KF
History: IRLTS2242PBF | FDB86363-F085 | IPN80R1K2P7 | IPP034N08N5 | RD3L080SN | WPM3005 | SFG150N10KF
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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