TMD830 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TMD830
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для TMD830
TMD830 Datasheet (PDF)
tmd830 tmu830.pdf
TMD830(G)/TMU830(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 4.5A
tmd830az tmu830az.pdf
TMD830AZ(G)/TMU830AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A
tmd830z tmu830z.pdf
TMD830Z(G)/TMU830Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A
Другие MOSFET... TMD5N60Z , AOD434 , TMD630Z , TMD6N65G , TMD6N70 , TMD7N60Z , TMD7N65AZ , TMD7N65Z , AO3400 , TMD830AZ , TMD830Z , TMD8N25Z , TMD8N50Z , TMD8N60AZ , TMP10N60 , TMP10N60A , TMP10N65 .
History: 7N90AF | SLF5N60C | AFP8206 | SQM18N33-160H | NTTD4401FR2 | AP42T03GP | PTA26N70
History: 7N90AF | SLF5N60C | AFP8206 | SQM18N33-160H | NTTD4401FR2 | AP42T03GP | PTA26N70
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047