TMD830AZ Todos los transistores

 

TMD830AZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMD830AZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de TMD830AZ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TMD830AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:451K  trinnotech
 tmd830az tmu830az.pdf pdf_icon

TMD830AZ

TMD830AZ(G)/TMU830AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

 8.1. Size:468K  trinnotech
 tmd830 tmu830.pdf pdf_icon

TMD830AZ

TMD830(G)/TMU830(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 4.5A

 8.2. Size:465K  trinnotech
 tmd830z tmu830z.pdf pdf_icon

TMD830AZ

TMD830Z(G)/TMU830Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

Otros transistores... AOD434 , TMD630Z , TMD6N65G , TMD6N70 , TMD7N60Z , TMD7N65AZ , TMD7N65Z , TMD830 , 2N7000 , TMD830Z , TMD8N25Z , TMD8N50Z , TMD8N60AZ , TMP10N60 , TMP10N60A , TMP10N65 , TMP10N65A .

History: IRFB260NPBF | MTD5P06VT4 | MTB09N06Q8 | STB26NM60N | IPP080N06NG | SSF6808A | CRTD045N03L

 

 
Back to Top

 


 
.