Справочник MOSFET. TMD830AZ

 

TMD830AZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMD830AZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMD830AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:451K  trinnotech
 tmd830az tmu830az.pdf pdf_icon

TMD830AZ

TMD830AZ(G)/TMU830AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

 8.1. Size:468K  trinnotech
 tmd830 tmu830.pdf pdf_icon

TMD830AZ

TMD830(G)/TMU830(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 4.5A

 8.2. Size:465K  trinnotech
 tmd830z tmu830z.pdf pdf_icon

TMD830AZ

TMD830Z(G)/TMU830Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

Другие MOSFET... AOD434 , TMD630Z , TMD6N65G , TMD6N70 , TMD7N60Z , TMD7N65AZ , TMD7N65Z , TMD830 , 2N7000 , TMD830Z , TMD8N25Z , TMD8N50Z , TMD8N60AZ , TMP10N60 , TMP10N60A , TMP10N65 , TMP10N65A .

 

 
Back to Top

 


 
.