TMP11N50SG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMP11N50SG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 158 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 374 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
Encapsulados: TO-220
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TMP11N50SG datasheet
tmp11n50sg tmpf11n50sg.pdf
TMP11N50SG/TMPF11N50SG VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(ON) = 0.7 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery D G S Device Package Marking Remark TMP11N50SG / TMPF11N50SG TO-220 / TO-220F TMP11N50SG / TMPF11N50SG Halogen Fre
tmp11n50 tmpf11n50.pdf
TMP11N50/TMPF11N50 TMP11N50G/TMPF11N50G VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 11A Low gate charge RDS(ON) = 0.67 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery D G S Device Package Marking Remark TMP11N50 / TMPF11N50 TO-220 / TO-220F TMP11N50 / TMPF11N50
Otros transistores... TMD8N50Z , TMD8N60AZ , TMP10N60 , TMP10N60A , TMP10N65 , TMP10N65A , TMP10N80 , TMP11N50 , SPP20N60C3 , TMP12N60 , TMP12N60A , TMP13N50 , TMP15N50 , TMP16N25Z , TMP16N60 , TMP16N60A , TMP18N20Z .
History: 2SK3324
History: 2SK3324
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Liste
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