TMP11N50SG - описание и поиск аналогов

 

TMP11N50SG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMP11N50SG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 374 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для TMP11N50SG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMP11N50SG даташит

 ..1. Size:340K  trinnotech
 tmp11n50sg tmpf11n50sg.pdf pdf_icon

TMP11N50SG

TMP11N50SG/TMPF11N50SG VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(ON) = 0.7 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery D G S Device Package Marking Remark TMP11N50SG / TMPF11N50SG TO-220 / TO-220F TMP11N50SG / TMPF11N50SG Halogen Fre

 6.1. Size:353K  trinnotech
 tmp11n50 tmpf11n50.pdf pdf_icon

TMP11N50SG

TMP11N50/TMPF11N50 TMP11N50G/TMPF11N50G VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 11A Low gate charge RDS(ON) = 0.67 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery D G S Device Package Marking Remark TMP11N50 / TMPF11N50 TO-220 / TO-220F TMP11N50 / TMPF11N50

Другие MOSFET... TMD8N50Z , TMD8N60AZ , TMP10N60 , TMP10N60A , TMP10N65 , TMP10N65A , TMP10N80 , TMP11N50 , SPP20N60C3 , TMP12N60 , TMP12N60A , TMP13N50 , TMP15N50 , TMP16N25Z , TMP16N60 , TMP16N60A , TMP18N20Z .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.