Справочник MOSFET. TMP11N50SG

 

TMP11N50SG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMP11N50SG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 374 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TMP11N50SG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMP11N50SG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:340K  trinnotech
 tmp11n50sg tmpf11n50sg.pdf pdf_icon

TMP11N50SG

TMP11N50SG/TMPF11N50SGVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 10A Low gate chargeRDS(ON) = 0.7 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkTMP11N50SG / TMPF11N50SG TO-220 / TO-220F TMP11N50SG / TMPF11N50SG Halogen Fre

 6.1. Size:353K  trinnotech
 tmp11n50 tmpf11n50.pdf pdf_icon

TMP11N50SG

TMP11N50/TMPF11N50TMP11N50G/TMPF11N50GVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 11A Low gate chargeRDS(ON) = 0.67 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkTMP11N50 / TMPF11N50 TO-220 / TO-220F TMP11N50 / TMPF11N50

Другие MOSFET... TMD8N50Z , TMD8N60AZ , TMP10N60 , TMP10N60A , TMP10N65 , TMP10N65A , TMP10N80 , TMP11N50 , AON7410 , TMP12N60 , TMP12N60A , TMP13N50 , TMP15N50 , TMP16N25Z , TMP16N60 , TMP16N60A , TMP18N20Z .

History: SSE90N10-14 | IRF7343PBF | BRL2N60 | FDMS86150 | RU4090L | IPI50N12S3L-15 | MTD20N03HDLT4G

 

 
Back to Top

 


 
.