TMP13N50 Todos los transistores

 

TMP13N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMP13N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 183 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 187 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm

Encapsulados: TO-220

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TMP13N50 datasheet

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TMP13N50

TMP13N50/TMPF13N50 TMP13N50G/TMPF13N50G VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 13A Low gate charge RDS(on) = 0.48 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP13N50 / TMPF13N50 TO-220 / TO-220F TMP13N50 / TMPF13N50 RoHS TMP13N50G / TMPF13N50G

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