Справочник MOSFET. TMP13N50

 

TMP13N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMP13N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 183 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 187 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TMP13N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMP13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  trinnotech
 tmp13n50 tmpf13n50.pdf pdf_icon

TMP13N50

TMP13N50/TMPF13N50TMP13N50G/TMPF13N50GVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 13A Low gate chargeRDS(on) = 0.48 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkTMP13N50 / TMPF13N50 TO-220 / TO-220F TMP13N50 / TMPF13N50 RoHSTMP13N50G / TMPF13N50G

Другие MOSFET... TMP10N60A , TMP10N65 , TMP10N65A , TMP10N80 , TMP11N50 , TMP11N50SG , TMP12N60 , TMP12N60A , TK10A60D , TMP15N50 , TMP16N25Z , TMP16N60 , TMP16N60A , TMP18N20Z , TMP20N50 , TMP20N50A , TMP2N60AZ .

History: SSD20N10-250D | IRF8714G

 

 
Back to Top

 


 
.