TMP13N50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TMP13N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 183 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 187 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для TMP13N50
TMP13N50 Datasheet (PDF)
tmp13n50 tmpf13n50.pdf

TMP13N50/TMPF13N50TMP13N50G/TMPF13N50GVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 13A Low gate chargeRDS(on) = 0.48 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkTMP13N50 / TMPF13N50 TO-220 / TO-220F TMP13N50 / TMPF13N50 RoHSTMP13N50G / TMPF13N50G
Другие MOSFET... TMP10N60A , TMP10N65 , TMP10N65A , TMP10N80 , TMP11N50 , TMP11N50SG , TMP12N60 , TMP12N60A , AO4407 , TMP15N50 , TMP16N25Z , TMP16N60 , TMP16N60A , TMP18N20Z , TMP20N50 , TMP20N50A , TMP2N60AZ .
History: SMG2305P | PTB14508E | SQM120N04-03 | SSN65R1K2S2E | AP4413GM | APT37M100L | SI4178DY
History: SMG2305P | PTB14508E | SQM120N04-03 | SSN65R1K2S2E | AP4413GM | APT37M100L | SI4178DY



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet