TMP4N65 Todos los transistores

 

TMP4N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMP4N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

TMP4N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:624K  trinnotech
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TMP4N65

TMP4N65(G)/TMPF4N65(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

 0.1. Size:608K  trinnotech
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TMP4N65

TMP4N65AZ(G)/TMPF4N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A

 0.2. Size:628K  trinnotech
 tmp4n65z tmpf4n65z.pdf pdf_icon

TMP4N65

TMP4N65Z(G)/TMPF4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

 8.1. Size:571K  trinnotech
 tmp4n60 tmpf4n60.pdf pdf_icon

TMP4N65

TMP4N60/TMPF4N60 TMP4N60G/TMPF4N60G VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 4A Low gate charge RDS(on) = 2.55 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP4N60 / TMPF4N60 TO-220 / TO-220F TMP4N60 / TMPF4N60 RoHS TMP4N60G / TMPF4

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History: WM02N08L | CP650

 

 
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