Справочник MOSFET. TMP4N65

 

TMP4N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TMP4N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 98.4 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 16 nC
   Время нарастания (tr): 22 ns
   Выходная емкость (Cd): 67 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для TMP4N65

 

 

TMP4N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:624K  trinnotech
tmp4n65 tmpf4n65.pdf

TMP4N65 TMP4N65

TMP4N65(G)/TMPF4N65(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

 0.1. Size:608K  trinnotech
tmp4n65az tmpf4n65az.pdf

TMP4N65 TMP4N65

TMP4N65AZ(G)/TMPF4N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A

 0.2. Size:628K  trinnotech
tmp4n65z tmpf4n65z.pdf

TMP4N65 TMP4N65

TMP4N65Z(G)/TMPF4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

 8.1. Size:571K  trinnotech
tmp4n60 tmpf4n60.pdf

TMP4N65 TMP4N65

TMP4N60/TMPF4N60 TMP4N60G/TMPF4N60G VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 4A Low gate charge RDS(on) = 2.55 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP4N60 / TMPF4N60 TO-220 / TO-220F TMP4N60 / TMPF4N60 RoHS TMP4N60G / TMPF4

 8.2. Size:618K  trinnotech
tmp4n60az tmpf4n60az.pdf

TMP4N65 TMP4N65

TMP4N60AZ(G)/TMPF4N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A

 8.3. Size:543K  cn wuxi unigroup
tma4n60h tmu4n60h tmd4n60h tmp4n60h.pdf

TMP4N65 TMP4N65

TMA4N60H,TMU4N60H,TMD4N60H, TMP4N60H Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Inf

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top