TMP5N50 Todos los transistores

 

TMP5N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMP5N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 92.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.65 Ohm

Encapsulados: TO-220

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TMP5N50 datasheet

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TMP5N50

TMP5N50/TMPF5N50 TMP5N50G/TMPF5N50G Features VDSS = 550 V @Tjmax Low gate charge ID = 4.5A 100% avalanche tested RDS(ON) = 1.65 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery D G S Device Package Marking Remark TMP5N50 / TMPF5N50 TO-220 / TO-220F TMP5N50 / TMPF5N50 RoHS T

 0.1. Size:354K  trinnotech
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TMP5N50

TMP5N50SG/TMPF5N50SG VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 4A Low gate charge RDS(ON) = 1.85 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery D G S Device Package Marking Remark TMP5N50SG / TMPF5N50SG TO-220 / TO-220F TMP5N50SG / TMPF5N50SG Halogen Free Abs

 9.1. Size:610K  trinnotech
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TMP5N50

TMP5N60AZ(G)/TMPF5N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.2A

 9.2. Size:615K  trinnotech
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TMP5N50

TMP5N60Z(G)/TMPF5N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 4.2A

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History: STS8201

 

 

 

 

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