TMP5N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TMP5N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 92.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11 nC
Время нарастания (tr): 32 ns
Выходная емкость (Cd): 61 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.65 Ohm
Тип корпуса: TO-220
TMP5N50 Datasheet (PDF)
tmp5n50 tmpf5n50.pdf
TMP5N50/TMPF5N50TMP5N50G/TMPF5N50GFeaturesVDSS = 550 V @Tjmax Low gate chargeID = 4.5A 100% avalanche testedRDS(ON) = 1.65 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkTMP5N50 / TMPF5N50 TO-220 / TO-220F TMP5N50 / TMPF5N50 RoHST
tmp5n50sg tmpf5n50sg.pdf
TMP5N50SG/TMPF5N50SGVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 4A Low gate chargeRDS(ON) = 1.85 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkTMP5N50SG / TMPF5N50SG TO-220 / TO-220F TMP5N50SG / TMPF5N50SG Halogen FreeAbs
tmp5n60az tmpf5n60az.pdf
TMP5N60AZ(G)/TMPF5N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.2A
tmp5n60z tmpf5n60z.pdf
TMP5N60Z(G)/TMPF5N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 4.2A
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
