TMP630Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMP630Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Encapsulados: TO-220
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TMP630Z datasheet
tmp630z tmpf630z.pdf
TMP630Z(G)/TMPF630Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A
Otros transistores... TMP4N65AZ , TMP4N65Z , TMP4N80 , TMP4N90 , TMP5N50 , TMP5N50SG , TMP5N60AZ , TMP5N60Z , 20N50 , TMP6N65 , TMP6N70 , TMP7N60Z , TMP7N65AZ , TMP7N65Z , TMP7N90 , TMP830 , TMP830AZ .
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