Справочник MOSFET. TMP630Z

 

TMP630Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMP630Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TMP630Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMP630Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:607K  trinnotech
tmp630z tmpf630z.pdfpdf_icon

TMP630Z

TMP630Z(G)/TMPF630Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A

Другие MOSFET... TMP4N65AZ , TMP4N65Z , TMP4N80 , TMP4N90 , TMP5N50 , TMP5N50SG , TMP5N60AZ , TMP5N60Z , 2N60 , TMP6N65 , TMP6N70 , TMP7N60Z , TMP7N65AZ , TMP7N65Z , TMP7N90 , TMP830 , TMP830AZ .

History: IRF2907ZS-7P | PE5E4BA

 

 
Back to Top

 


 
.