TMP9N60 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMP9N60  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 158 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO-220

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TMP9N60 datasheet

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TMP9N60

TMP9N60/TMPF9N60 TMP9N60G/TMPF9N60G VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 9A Low gate charge RDS(ON) = 1.0 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery D G S Device Package Marking Remark TMP9N60 / TMPF9N60 TO-220 / TO-220F TMP9N60 / TMPF9N60 RoHS TMP9

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TMP9N60

TMP9N90/TMPF9N90 TMP9N90G/TMPF9N90G VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 9A Low gate charge RDS(ON) = 1.4 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP9N90 / TMPF9N90 TO-220 / TO-220F TMP9N90 / TMPF9N90 RoHS TMP9N90G / TMPF9N

 9.2. Size:333K  trinnotech
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TMP9N60

TMP9N50/TMPF9N50 TMP9N50G/TMPF9N50G VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 9A Low gate charge RDS(on) = 0.85 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP9N50 / TMPF9N50 TO-220 / TO-220F TMP9N50 / TMPF9N50 RoHS TMP9N50G / TMPF9N50G TO-220 / T

 9.3. Size:609K  trinnotech
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TMP9N60

TMP9N70(G)/TMPF9N70(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 700V 9A

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