Справочник MOSFET. TMP9N60

 

TMP9N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMP9N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TMP9N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMP9N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:347K  trinnotech
tmp9n60 tmpf9n60.pdfpdf_icon

TMP9N60

TMP9N60/TMPF9N60TMP9N60G/TMPF9N60GVDSS = 660 V @TjmaxFeaturesID = 9A Low gate chargeRDS(ON) = 1.0 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkTMP9N60 / TMPF9N60 TO-220 / TO-220F TMP9N60 / TMPF9N60 RoHSTMP9

 9.1. Size:403K  trinnotech
tmp9n90 tmpf9n90.pdfpdf_icon

TMP9N60

TMP9N90/TMPF9N90 TMP9N90G/TMPF9N90G VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 9A Low gate charge RDS(ON) = 1.4 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP9N90 / TMPF9N90 TO-220 / TO-220F TMP9N90 / TMPF9N90 RoHS TMP9N90G / TMPF9N

 9.2. Size:333K  trinnotech
tmp9n50 tmpf9n50.pdfpdf_icon

TMP9N60

TMP9N50/TMPF9N50TMP9N50G/TMPF9N50GVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 9A Low gate chargeRDS(on) = 0.85 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkTMP9N50 / TMPF9N50 TO-220 / TO-220F TMP9N50 / TMPF9N50 RoHSTMP9N50G / TMPF9N50G TO-220 / T

 9.3. Size:609K  trinnotech
tmp9n70 tmpf9n70.pdfpdf_icon

TMP9N60

TMP9N70(G)/TMPF9N70(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 700V 9A

Другие MOSFET... TMP830AZ , TMP830Z , TMP8N25Z , TMP8N50Z , TMP8N60AZ , TMP8N80 , TMP9N50 , TMP9N50S , IRF1405 , TMP9N70 , TMP9N90 , TMPF10N60 , TMPF10N60A , TMPF10N65 , TMPF10N65A , TMPF10N80 , TMPF11N50 .

 

 
Back to Top

 


 
.