TMPF2N65AZ Todos los transistores

 

TMPF2N65AZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMPF2N65AZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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TMPF2N65AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:604K  trinnotech
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TMPF2N65AZ

TMP2N65AZ(G)/TMPF2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

 7.1. Size:627K  trinnotech
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TMPF2N65AZ

TMP2N60Z(G)/TMPF2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 2A

 7.2. Size:609K  trinnotech
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TMPF2N65AZ

TMP2N60AZ(G)/TMPF2N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

 9.1. Size:409K  trinnotech
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TMPF2N65AZ

TMP20N50/TMPF20N50 TMP20N50G/TMPF20N50G VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 18A Low gate charge RDS(on) = 0.3 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP20N50 / TMPF20N50 TO-220 / TO-220F TMP20N50 / TMPF20N50 RoHS TMP20N50

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History: NTD3055L104 | WMO7N65D1B

 

 
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