TMPF2N65AZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TMPF2N65AZ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.6 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TMPF2N65AZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMPF2N65AZ даташит

 ..1. Size:604K  trinnotech
 tmp2n65az tmpf2n65az.pdf pdf_icon

TMPF2N65AZ

TMP2N65AZ(G)/TMPF2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

 7.1. Size:627K  trinnotech
 tmp2n60z tmpf2n60z.pdf pdf_icon

TMPF2N65AZ

TMP2N60Z(G)/TMPF2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 2A

 7.2. Size:609K  trinnotech
 tmp2n60az tmpf2n60az.pdf pdf_icon

TMPF2N65AZ

TMP2N60AZ(G)/TMPF2N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

 9.1. Size:409K  trinnotech
 tmp20n50 tmpf20n50.pdf pdf_icon

TMPF2N65AZ

TMP20N50/TMPF20N50 TMP20N50G/TMPF20N50G VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 18A Low gate charge RDS(on) = 0.3 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP20N50 / TMPF20N50 TO-220 / TO-220F TMP20N50 / TMPF20N50 RoHS TMP20N50

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TMPF16N25Z, TMPF16N60, TMPF16N60A, TMPF18N20Z, TMPF20N50, TMPF20N50A, TMPF2N60AZ, TMPF2N60Z, IRFP460, TMPF3N50AZ, TMPF3N50Z, TMPF3N80, TMPF3N90, TMPF4N60, TMPF4N60AZ, TMPF4N65, TMPF4N65AZ