TMPF4N90 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMPF4N90 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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Búsqueda de reemplazo de TMPF4N90 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

TMPF4N90 datasheet

..1. Size:333K trinnotech
tmp4n90 tmpf4n90.pdf pdf_icon

TMP4N90/TMPF4N90 TMP4N90G/TMPF4N90G VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 4A Low gate charge RDS(ON) = 4.0 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP4N90 / TMPF4N90 TO-220 / TO-220F TMP4N90 / TMPF4N90 RoHS TMP4N90G / TMPF4N90G TO-220 / T

8.1. Size:571K trinnotech
tmp4n60 tmpf4n60.pdf pdf_icon

TMP4N60/TMPF4N60 TMP4N60G/TMPF4N60G VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 4A Low gate charge RDS(on) = 2.55 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP4N60 / TMPF4N60 TO-220 / TO-220F TMP4N60 / TMPF4N60 RoHS TMP4N60G / TMPF4

8.2. Size:608K trinnotech
tmp4n65az tmpf4n65az.pdf pdf_icon