Справочник MOSFET. TMPF4N90

 

TMPF4N90 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TMPF4N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38.7 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 25 nC
   Время нарастания (tr): 38 ns
   Выходная емкость (Cd): 80 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для TMPF4N90

 

 

TMPF4N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  trinnotech
tmp4n90 tmpf4n90.pdf

TMPF4N90
TMPF4N90

TMP4N90/TMPF4N90TMP4N90G/TMPF4N90GVDSS = 990 V @TjmaxFeaturesID = 4A Low gate chargeRDS(ON) = 4.0 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification DGSDevice Package Marking RemarkTMP4N90 / TMPF4N90 TO-220 / TO-220F TMP4N90 / TMPF4N90 RoHSTMP4N90G / TMPF4N90G TO-220 / T

 8.1. Size:571K  trinnotech
tmp4n60 tmpf4n60.pdf

TMPF4N90
TMPF4N90

TMP4N60/TMPF4N60 TMP4N60G/TMPF4N60G VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 4A Low gate charge RDS(on) = 2.55 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP4N60 / TMPF4N60 TO-220 / TO-220F TMP4N60 / TMPF4N60 RoHS TMP4N60G / TMPF4

 8.2. Size:608K  trinnotech
tmp4n65az tmpf4n65az.pdf

TMPF4N90
TMPF4N90

TMP4N65AZ(G)/TMPF4N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A

 8.3. Size:618K  trinnotech
tmp4n60az tmpf4n60az.pdf

TMPF4N90
TMPF4N90

TMP4N60AZ(G)/TMPF4N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A

 8.4. Size:612K  trinnotech
tmp4n80 tmpf4n80.pdf

TMPF4N90
TMPF4N90

TMP4N80/TMPF4N80 TMP4N80G/TMPF4N80G VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 4A Low gate charge RDS(ON) = 3.0 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP4N80 TO-220 TMP4N80 RoHS TMPF4N80G TO-220F TMPF4N80G Halogen Free Absol

 8.5. Size:624K  trinnotech
tmp4n65 tmpf4n65.pdf

TMPF4N90
TMPF4N90

TMP4N65(G)/TMPF4N65(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

 8.6. Size:628K  trinnotech
tmp4n65z tmpf4n65z.pdf

TMPF4N90
TMPF4N90

TMP4N65Z(G)/TMPF4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top