TMPF6N65 Todos los transistores

 

TMPF6N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMPF6N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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TMPF6N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:577K  trinnotech
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TMPF6N65

TMP6N65/TMPF6N65 TMP6N65G/TMPF6N65G VDSS = 715 V @Tjmax Features ID = 5.5A Low gate charge RDS(on) = 1.6 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP6N65 / TMPF6N65 TO-220 / TO-220F TMP6N65 / TMPF6N65 RoHS TMP6N65G / TMPF

 8.1. Size:1021K  trinnotech
 tmp6n70 tmpf6n70.pdf pdf_icon

TMPF6N65

TMP6N70(G)/TMPF6N70(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 700V 5.0A

 9.1. Size:607K  trinnotech
 tmp630z tmpf630z.pdf pdf_icon

TMPF6N65

TMP630Z(G)/TMPF630Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A

Otros transistores... TMPF4N65Z , TMPF4N80 , TMPF4N90 , TMPF5N50 , TMPF5N50SG , TMPF5N60AZ , TMPF5N60Z , TMPF630Z , STP75NF75 , TMPF6N70 , TMPF7N60Z , TMPF7N65AZ , TMPF7N65Z , TMPF7N90 , TMPF830 , TMPF830AZ , TMPF830Z .

History: TJ15S10M3 | STI24NM60N

 

 
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