TMPF6N65 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMPF6N65  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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TMPF6N65 datasheet

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TMPF6N65

TMP6N65/TMPF6N65 TMP6N65G/TMPF6N65G VDSS = 715 V @Tjmax Features ID = 5.5A Low gate charge RDS(on) = 1.6 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP6N65 / TMPF6N65 TO-220 / TO-220F TMP6N65 / TMPF6N65 RoHS TMP6N65G / TMPF

 8.1. Size:1021K  trinnotech
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TMPF6N65

TMP6N70(G)/TMPF6N70(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 700V 5.0A

 9.1. Size:607K  trinnotech
 tmp630z tmpf630z.pdf pdf_icon

TMPF6N65

TMP630Z(G)/TMPF630Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A

Otros transistores... TMPF4N65Z, TMPF4N80, TMPF4N90, TMPF5N50, TMPF5N50SG, TMPF5N60AZ, TMPF5N60Z, TMPF630Z, 7N65, TMPF6N70, TMPF7N60Z, TMPF7N65AZ, TMPF7N65Z, TMPF7N90, TMPF830, TMPF830AZ, TMPF830Z