TMPF6N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TMPF6N65  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TMPF6N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMPF6N65 даташит

 ..1. Size:577K  trinnotech
 tmp6n65 tmpf6n65.pdf pdf_icon

TMPF6N65

TMP6N65/TMPF6N65 TMP6N65G/TMPF6N65G VDSS = 715 V @Tjmax Features ID = 5.5A Low gate charge RDS(on) = 1.6 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP6N65 / TMPF6N65 TO-220 / TO-220F TMP6N65 / TMPF6N65 RoHS TMP6N65G / TMPF

 8.1. Size:1021K  trinnotech
 tmp6n70 tmpf6n70.pdf pdf_icon

TMPF6N65

TMP6N70(G)/TMPF6N70(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 700V 5.0A

 9.1. Size:607K  trinnotech
 tmp630z tmpf630z.pdf pdf_icon

TMPF6N65

TMP630Z(G)/TMPF630Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A

Другие IGBT... TMPF4N65Z, TMPF4N80, TMPF4N90, TMPF5N50, TMPF5N50SG, TMPF5N60AZ, TMPF5N60Z, TMPF630Z, 7N65, TMPF6N70, TMPF7N60Z, TMPF7N65AZ, TMPF7N65Z, TMPF7N90, TMPF830, TMPF830AZ, TMPF830Z