Справочник MOSFET. TMPF6N65

 

TMPF6N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMPF6N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для TMPF6N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMPF6N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:577K  trinnotech
 tmp6n65 tmpf6n65.pdf pdf_icon

TMPF6N65

TMP6N65/TMPF6N65 TMP6N65G/TMPF6N65G VDSS = 715 V @Tjmax Features ID = 5.5A Low gate charge RDS(on) = 1.6 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP6N65 / TMPF6N65 TO-220 / TO-220F TMP6N65 / TMPF6N65 RoHS TMP6N65G / TMPF

 8.1. Size:1021K  trinnotech
 tmp6n70 tmpf6n70.pdf pdf_icon

TMPF6N65

TMP6N70(G)/TMPF6N70(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 700V 5.0A

 9.1. Size:607K  trinnotech
 tmp630z tmpf630z.pdf pdf_icon

TMPF6N65

TMP630Z(G)/TMPF630Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A

Другие MOSFET... TMPF4N65Z , TMPF4N80 , TMPF4N90 , TMPF5N50 , TMPF5N50SG , TMPF5N60AZ , TMPF5N60Z , TMPF630Z , STP75NF75 , TMPF6N70 , TMPF7N60Z , TMPF7N65AZ , TMPF7N65Z , TMPF7N90 , TMPF830 , TMPF830AZ , TMPF830Z .

History: HFW50N06 | 2SK1796 | STFI13NM60N | SE10030A | TK100A10N1 | WMO07N65C4

 

 
Back to Top

 


 
.