TMPF7N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMPF7N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 133 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TMPF7N90
TMPF7N90 Datasheet (PDF)
tmp7n90 tmpf7n90.pdf
TMP7N90/TMPF7N90G VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 7A Low gate charge RDS(ON) = 1.9 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP7N90 TO-220 TMP7N90 RoHS TMPF7N90G TO-220F TMPF7N90G Halogen Free Absolute Maximum Ratings
tmp7n65az tmpf7n65az.pdf
TMP7N65AZ(G)/TMPF7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A
tmp7n65z tmpf7n65z.pdf
TMP7N65Z(G)/TMPF7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 6.5A
tmp7n60z tmpf7n60z.pdf
TMP7N60Z(G)/TMPF7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 7A
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Liste
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