Справочник MOSFET. TMPF7N90

 

TMPF7N90 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TMPF7N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40.3 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 49 nC
   Время нарастания (tr): 38 ns
   Выходная емкость (Cd): 133 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для TMPF7N90

 

 

TMPF7N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:440K  trinnotech
 tmp7n90 tmpf7n90.pdf

TMPF7N90 TMPF7N90

TMP7N90/TMPF7N90G VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 7A Low gate charge RDS(ON) = 1.9 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP7N90 TO-220 TMP7N90 RoHS TMPF7N90G TO-220F TMPF7N90G Halogen Free Absolute Maximum Ratings

 8.1. Size:615K  trinnotech
 tmp7n65az tmpf7n65az.pdf

TMPF7N90 TMPF7N90

TMP7N65AZ(G)/TMPF7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

 8.2. Size:616K  trinnotech
 tmp7n65z tmpf7n65z.pdf

TMPF7N90 TMPF7N90

TMP7N65Z(G)/TMPF7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 6.5A

 8.3. Size:611K  trinnotech
 tmp7n60z tmpf7n60z.pdf

TMPF7N90 TMPF7N90

TMP7N60Z(G)/TMPF7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 7A

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top