TMPF8N60AZ Todos los transistores

 

TMPF8N60AZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMPF8N60AZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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TMPF8N60AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:625K  trinnotech
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TMPF8N60AZ

TMP8N60AZ(G)/TMPF8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

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TMPF8N60AZ

TMP8N50Z(G)/TMPF8N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A

 8.2. Size:603K  trinnotech
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TMPF8N60AZ

TMP8N25Z(G)/TMPF8N25Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 250V 8A

 8.3. Size:1284K  trinnotech
 tmp8n80 tmpf8n80.pdf pdf_icon

TMPF8N60AZ

TMP8N80(G)/TMPF8N80(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 800V 8A

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History: FTD02N60B | MTN9N50FP | IPI030N10N3 | ME2306AS-G | IPP12CN10NG | IRFS231 | IRHN9230

 

 
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