TMPF8N60AZ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMPF8N60AZ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO-220F

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de TMPF8N60AZ MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TMPF8N60AZ datasheet

 ..1. Size:625K  trinnotech
 tmp8n60az tmpf8n60az.pdf pdf_icon

TMPF8N60AZ

TMP8N60AZ(G)/TMPF8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

 8.1. Size:605K  trinnotech
 tmp8n50z tmpf8n50z.pdf pdf_icon

TMPF8N60AZ

TMP8N50Z(G)/TMPF8N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A

 8.2. Size:603K  trinnotech
 tmp8n25z tmpf8n25z.pdf pdf_icon

TMPF8N60AZ

TMP8N25Z(G)/TMPF8N25Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 250V 8A

 8.3. Size:1284K  trinnotech
 tmp8n80 tmpf8n80.pdf pdf_icon

TMPF8N60AZ

TMP8N80(G)/TMPF8N80(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 800V 8A

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... TMPF7N65AZ, TMPF7N65Z, TMPF7N90, TMPF830, TMPF830AZ, TMPF830Z, TMPF8N25Z, TMPF8N50Z, AO3401, TMPF8N80, TMPF9N50, TMPF9N50S, TMPF9N60, TMPF9N70, TMPF9N90, TMT2N40G, TMT2N60ZG