Справочник MOSFET. TMPF8N60AZ

 

TMPF8N60AZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMPF8N60AZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для TMPF8N60AZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMPF8N60AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:625K  trinnotech
 tmp8n60az tmpf8n60az.pdf pdf_icon

TMPF8N60AZ

TMP8N60AZ(G)/TMPF8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

 8.1. Size:605K  trinnotech
 tmp8n50z tmpf8n50z.pdf pdf_icon

TMPF8N60AZ

TMP8N50Z(G)/TMPF8N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A

 8.2. Size:603K  trinnotech
 tmp8n25z tmpf8n25z.pdf pdf_icon

TMPF8N60AZ

TMP8N25Z(G)/TMPF8N25Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 250V 8A

 8.3. Size:1284K  trinnotech
 tmp8n80 tmpf8n80.pdf pdf_icon

TMPF8N60AZ

TMP8N80(G)/TMPF8N80(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 800V 8A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMPF7N65AZ , TMPF7N65Z , TMPF7N90 , TMPF830 , TMPF830AZ , TMPF830Z , TMPF8N25Z , TMPF8N50Z , AO3400 , TMPF8N80 , TMPF9N50 , TMPF9N50S , TMPF9N60 , TMPF9N70 , TMPF9N90 , TMT2N40G , TMT2N60ZG .

History: PMZ200UNE | 2SJ473-01S

 

 
Back to Top

 


 
.