TMT3N30G Todos los transistores

 

TMT3N30G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMT3N30G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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TMT3N30G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:311K  trinnotech
 tmt3n30g.pdf pdf_icon

TMT3N30G

TMT3N30GVDSS = 330V @TjmaxFeaturesID = 3A Low gate chargeRDS(on) = 2.15 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche testedRDS(on) = 1.73 W(typ) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDDSGDGSDevice Package MarkingTMT3N30G SOT223 TMT3N30GAbsolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMT3N30G Un

 9.1. Size:399K  trinnotech
 tmt3n40zg.pdf pdf_icon

TMT3N30G

TMT3N40ZG Features VDSS = 440 V @Tjmax Low gate charge ID = 2A 100% avalanche tested RDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Improved ESD performance D D G S D G S Device Package Marking Remark TMT3N40ZG SOT-223 TMT3N40ZG Halogen Free Absolute Maximum

Otros transistores... TMPF8N80 , TMPF9N50 , TMPF9N50S , TMPF9N60 , TMPF9N70 , TMPF9N90 , TMT2N40G , TMT2N60ZG , 4N60 , TMT3N40ZG , TMU16N25Z , TMU18N20Z , TMU2N40 , TMU2N60AZ , TMU2N60Z , TMU2N65AZ , TMU3N40ZG .

History: 2P986G | 5N65KG-TA3-T | 2SK3759 | WMJ53N65F2 | UPA2521T1H | APT50M80B2LC | SRC65R220BS

 

 
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