TMT3N30G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMT3N30G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.15 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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TMT3N30G datasheet

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TMT3N30G

TMT3N30G VDSS = 330V @Tjmax Features ID = 3A Low gate charge RDS(on) = 2.15 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested RDS(on) = 1.73 W(typ) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D D S G D G S Device Package Marking TMT3N30G SOT223 TMT3N30G Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMT3N30G Un

 9.1. Size:399K  trinnotech
 tmt3n40zg.pdf pdf_icon

TMT3N30G

TMT3N40ZG Features VDSS = 440 V @Tjmax Low gate charge ID = 2A 100% avalanche tested RDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Improved ESD performance D D G S D G S Device Package Marking Remark TMT3N40ZG SOT-223 TMT3N40ZG Halogen Free Absolute Maximum

Otros transistores... TMPF8N80, TMPF9N50, TMPF9N50S, TMPF9N60, TMPF9N70, TMPF9N90, TMT2N40G, TMT2N60ZG, 12N60, TMT3N40ZG, TMU16N25Z, TMU18N20Z, TMU2N40, TMU2N60AZ, TMU2N60Z, TMU2N65AZ, TMU3N40ZG