Справочник MOSFET. TMT3N30G

 

TMT3N30G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMT3N30G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.15 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для TMT3N30G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMT3N30G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:311K  trinnotech
 tmt3n30g.pdf pdf_icon

TMT3N30G

TMT3N30GVDSS = 330V @TjmaxFeaturesID = 3A Low gate chargeRDS(on) = 2.15 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche testedRDS(on) = 1.73 W(typ) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDDSGDGSDevice Package MarkingTMT3N30G SOT223 TMT3N30GAbsolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMT3N30G Un

 9.1. Size:399K  trinnotech
 tmt3n40zg.pdf pdf_icon

TMT3N30G

TMT3N40ZG Features VDSS = 440 V @Tjmax Low gate charge ID = 2A 100% avalanche tested RDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Improved ESD performance D D G S D G S Device Package Marking Remark TMT3N40ZG SOT-223 TMT3N40ZG Halogen Free Absolute Maximum

Другие MOSFET... TMPF8N80 , TMPF9N50 , TMPF9N50S , TMPF9N60 , TMPF9N70 , TMPF9N90 , TMT2N40G , TMT2N60ZG , 4N60 , TMT3N40ZG , TMU16N25Z , TMU18N20Z , TMU2N40 , TMU2N60AZ , TMU2N60Z , TMU2N65AZ , TMU3N40ZG .

 

 
Back to Top

 


 
.