Справочник MOSFET. TMT3N30G

 

TMT3N30G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TMT3N30G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.15 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223

 Аналог (замена) для TMT3N30G

 

 

TMT3N30G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:311K  trinnotech
 tmt3n30g.pdf

TMT3N30G TMT3N30G

TMT3N30GVDSS = 330V @TjmaxFeaturesID = 3A Low gate chargeRDS(on) = 2.15 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche testedRDS(on) = 1.73 W(typ) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDDSGDGSDevice Package MarkingTMT3N30G SOT223 TMT3N30GAbsolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMT3N30G Un

 9.1. Size:399K  trinnotech
 tmt3n40zg.pdf

TMT3N30G TMT3N30G

TMT3N40ZG Features VDSS = 440 V @Tjmax Low gate charge ID = 2A 100% avalanche tested RDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Improved ESD performance D D G S D G S Device Package Marking Remark TMT3N40ZG SOT-223 TMT3N40ZG Halogen Free Absolute Maximum

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top