TMT3N30G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TMT3N30G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.15 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TMT3N30G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMT3N30G даташит

 ..1. Size:311K  trinnotech
 tmt3n30g.pdf pdf_icon

TMT3N30G

TMT3N30G VDSS = 330V @Tjmax Features ID = 3A Low gate charge RDS(on) = 2.15 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested RDS(on) = 1.73 W(typ) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D D S G D G S Device Package Marking TMT3N30G SOT223 TMT3N30G Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMT3N30G Un

 9.1. Size:399K  trinnotech
 tmt3n40zg.pdf pdf_icon

TMT3N30G

TMT3N40ZG Features VDSS = 440 V @Tjmax Low gate charge ID = 2A 100% avalanche tested RDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Improved ESD performance D D G S D G S Device Package Marking Remark TMT3N40ZG SOT-223 TMT3N40ZG Halogen Free Absolute Maximum

Другие IGBT... TMPF8N80, TMPF9N50, TMPF9N50S, TMPF9N60, TMPF9N70, TMPF9N90, TMT2N40G, TMT2N60ZG, 12N60, TMT3N40ZG, TMU16N25Z, TMU18N20Z, TMU2N40, TMU2N60AZ, TMU2N60Z, TMU2N65AZ, TMU3N40ZG