TMT3N40ZG Todos los transistores

 

TMT3N40ZG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMT3N40ZG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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TMT3N40ZG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  trinnotech
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TMT3N40ZG

TMT3N40ZG Features VDSS = 440 V @Tjmax Low gate charge ID = 2A 100% avalanche tested RDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Improved ESD performance D D G S D G S Device Package Marking Remark TMT3N40ZG SOT-223 TMT3N40ZG Halogen Free Absolute Maximum

 9.1. Size:311K  trinnotech
 tmt3n30g.pdf pdf_icon

TMT3N40ZG

TMT3N30GVDSS = 330V @TjmaxFeaturesID = 3A Low gate chargeRDS(on) = 2.15 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche testedRDS(on) = 1.73 W(typ) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDDSGDGSDevice Package MarkingTMT3N30G SOT223 TMT3N30GAbsolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMT3N30G Un

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History: TMU5N40ZG | IXFN20N120

 

 
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