TMT3N40ZG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMT3N40ZG  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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TMT3N40ZG datasheet

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TMT3N40ZG

TMT3N40ZG Features VDSS = 440 V @Tjmax Low gate charge ID = 2A 100% avalanche tested RDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Improved ESD performance D D G S D G S Device Package Marking Remark TMT3N40ZG SOT-223 TMT3N40ZG Halogen Free Absolute Maximum

 9.1. Size:311K  trinnotech
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TMT3N40ZG

TMT3N30G VDSS = 330V @Tjmax Features ID = 3A Low gate charge RDS(on) = 2.15 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested RDS(on) = 1.73 W(typ) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D D S G D G S Device Package Marking TMT3N30G SOT223 TMT3N30G Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMT3N30G Un

Otros transistores... TMPF9N50, TMPF9N50S, TMPF9N60, TMPF9N70, TMPF9N90, TMT2N40G, TMT2N60ZG, TMT3N30G, 5N65, TMU16N25Z, TMU18N20Z, TMU2N40, TMU2N60AZ, TMU2N60Z, TMU2N65AZ, TMU3N40ZG, TMU3N50AZ