TMT3N40ZG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TMT3N40ZG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TMT3N40ZG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMT3N40ZG даташит

 ..1. Size:399K  trinnotech
 tmt3n40zg.pdf pdf_icon

TMT3N40ZG

TMT3N40ZG Features VDSS = 440 V @Tjmax Low gate charge ID = 2A 100% avalanche tested RDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Improved ESD performance D D G S D G S Device Package Marking Remark TMT3N40ZG SOT-223 TMT3N40ZG Halogen Free Absolute Maximum

 9.1. Size:311K  trinnotech
 tmt3n30g.pdf pdf_icon

TMT3N40ZG

TMT3N30G VDSS = 330V @Tjmax Features ID = 3A Low gate charge RDS(on) = 2.15 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested RDS(on) = 1.73 W(typ) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D D S G D G S Device Package Marking TMT3N30G SOT223 TMT3N30G Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMT3N30G Un

Другие IGBT... TMPF9N50, TMPF9N50S, TMPF9N60, TMPF9N70, TMPF9N90, TMT2N40G, TMT2N60ZG, TMT3N30G, 5N65, TMU16N25Z, TMU18N20Z, TMU2N40, TMU2N60AZ, TMU2N60Z, TMU2N65AZ, TMU3N40ZG, TMU3N50AZ