TMU7N60Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TMU7N60Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: I-PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TMU7N60Z

TMU7N60Z Datasheet (PDF)

..1. Size:457K trinnotech
tmd7n60z tmu7n60z.pdf

TMD7N60Z(G)/TMU7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 7A

7.1. Size:559K cn wuxi unigroup
tma7n60h tmc7n60h tmd7n60h tmu7n60h.pdf

TMA7N60H, TMC7N60H, TMD7N60H, TMU7N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TM

8.1. Size:461K trinnotech
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TMD7N65AZ(G)/TMU7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

8.2. Size:463K trinnotech
tmd7n65z tmu7n65z.pdf

TMD7N65Z(G)/TMU7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 650V 6.5A

8.3. Size:1062K cn wuxi unigroup
tma7n65h tmp7n65h tmd7n65h tmu7n65h.pdf

TMA7N65H, TMP7N65H, TMD7N65H, TMU7N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company650V N-Channel MOSFETFEATURESl Fast switchingl 100% avalanche testedl Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONSl Switch Mode Power Supply (SMPS)l Uninterruptible Power Supply (UPS)l Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingTMA7N65H TO-220F A7N65HTM

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Liste

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