Справочник MOSFET. TMU7N60Z

 

TMU7N60Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMU7N60Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU7N60Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:457K  trinnotech
 tmd7n60z tmu7n60z.pdf pdf_icon

TMU7N60Z

TMD7N60Z(G)/TMU7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 7A

 7.1. Size:559K  cn wuxi unigroup
 tma7n60h tmc7n60h tmd7n60h tmu7n60h.pdf pdf_icon

TMU7N60Z

TMA7N60H, TMC7N60H, TMD7N60H, TMU7N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TM

 8.1. Size:461K  trinnotech
 tmd7n65az tmu7n65az.pdf pdf_icon

TMU7N60Z

TMD7N65AZ(G)/TMU7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

 8.2. Size:463K  trinnotech
 tmd7n65z tmu7n65z.pdf pdf_icon

TMU7N60Z

TMD7N65Z(G)/TMU7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 650V 6.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.