TMU7N60Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMU7N60Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

Аналог (замена) для TMU7N60Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU7N60Z даташит

 ..1. Size:457K  trinnotech
 tmd7n60z tmu7n60z.pdf pdf_icon

TMU7N60Z

TMD7N60Z(G)/TMU7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 7A

 7.1. Size:559K  cn wuxi unigroup
 tma7n60h tmc7n60h tmd7n60h tmu7n60h.pdf pdf_icon

TMU7N60Z

TMA7N60H, TMC7N60H, TMD7N60H, TMU7N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TM

 8.1. Size:461K  trinnotech
 tmd7n65az tmu7n65az.pdf pdf_icon

TMU7N60Z

TMD7N65AZ(G)/TMU7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

 8.2. Size:463K  trinnotech
 tmd7n65z tmu7n65z.pdf pdf_icon

TMU7N60Z

TMD7N65Z(G)/TMU7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 650V 6.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TMU4N65Z, TMU5N40ZG, TMU5N50, TMU5N50G, TMU5N60AZ, TMU5N60Z, TMU630Z, TMU6N65G, 20N50, TMU7N65AZ, TMU7N65Z, TMU830, TMU830AZ, TMU830Z, TMU8N25Z, TMU8N50Z, TMU8N60AZ