TMU7N65AZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMU7N65AZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 103 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: I-PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TMU7N65AZ
TMU7N65AZ Datasheet (PDF)
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TMD7N65AZ(G)/TMU7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A
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TMD7N65Z(G)/TMU7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 650V 6.5A
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TMA7N65H, TMP7N65H, TMD7N65H, TMU7N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company650V N-Channel MOSFETFEATURESl Fast switchingl 100% avalanche testedl Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONSl Switch Mode Power Supply (SMPS)l Uninterruptible Power Supply (UPS)l Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingTMA7N65H TO-220F A7N65HTM
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TMD7N60Z(G)/TMU7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 7A
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TMA7N60H, TMC7N60H, TMD7N60H, TMU7N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TM
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History: 2SK3210
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