TMU7N65AZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TMU7N65AZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: I-PAK
Аналог (замена) для TMU7N65AZ
TMU7N65AZ Datasheet (PDF)
tmd7n65az tmu7n65az.pdf
TMD7N65AZ(G)/TMU7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A
tmd7n65z tmu7n65z.pdf
TMD7N65Z(G)/TMU7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 650V 6.5A
tma7n65h tmp7n65h tmd7n65h tmu7n65h.pdf
TMA7N65H, TMP7N65H, TMD7N65H, TMU7N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company650V N-Channel MOSFETFEATURESl Fast switchingl 100% avalanche testedl Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONSl Switch Mode Power Supply (SMPS)l Uninterruptible Power Supply (UPS)l Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingTMA7N65H TO-220F A7N65HTM
tmd7n60z tmu7n60z.pdf
TMD7N60Z(G)/TMU7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 7A
Другие MOSFET... TMU5N40ZG , TMU5N50 , TMU5N50G , TMU5N60AZ , TMU5N60Z , TMU630Z , TMU6N65G , TMU7N60Z , IRF520 , TMU7N65Z , TMU830 , TMU830AZ , TMU830Z , TMU8N25Z , TMU8N50Z , TMU8N60AZ , IRF1405ZL-7PPBF .
