TMU830AZ MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

TMU830AZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMU830AZ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: I-PAK

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:451K trinnotech
tmd830az tmu830az.pdf pdf_icon

TMD830AZ(G)/TMU830AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

8.1. Size:468K trinnotech
tmd830 tmu830.pdf pdf_icon

TMD830(G)/TMU830(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 4.5A

8.2. Size:465K trinnotech
tmd830z tmu830z.pdf pdf_icon

TMD830Z(G)/TMU830Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A