TMU830AZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TMU830AZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: I-PAK
Аналог (замена) для TMU830AZ
TMU830AZ Datasheet (PDF)
..1. Size:451K trinnotech
tmd830az tmu830az.pdf
tmd830az tmu830az.pdf
TMD830AZ(G)/TMU830AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A
8.1. Size:468K trinnotech
tmd830 tmu830.pdf
tmd830 tmu830.pdf
TMD830(G)/TMU830(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 4.5A
8.2. Size:465K trinnotech
tmd830z tmu830z.pdf
tmd830z tmu830z.pdf
TMD830Z(G)/TMU830Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A
Другие MOSFET... TMU5N60AZ , TMU5N60Z , TMU630Z , TMU6N65G , TMU7N60Z , TMU7N65AZ , TMU7N65Z , TMU830 , IRFZ24N , TMU830Z , TMU8N25Z , TMU8N50Z , TMU8N60AZ , IRF1405ZL-7PPBF , IRF1405ZLPBF , IRF1405ZPBF , IRF1405ZS-7PPBF .
