FMP03N60E Todos los transistores

 

FMP03N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FMP03N60E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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FMP03N60E Datasheet (PDF)

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FMP03N60E

FMP03N60E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220ABLower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)

Otros transistores... TMU8N60AZ , IRF1405ZL-7PPBF , IRF1405ZLPBF , IRF1405ZPBF , IRF1405ZS-7PPBF , IRF1405ZSPBF , IRF1407PBF , IRF140SMD , P0903BDG , FMP05N50E , FMP05N60E , FMP06N60E , FMP06N60ES , FMP07N50E , FMP08N50E , FMP10N60E , FMP11N60E .

History: SSM4957M | IXFV36N50P | IPL60R385CP | CSD16415Q5 | SIHFZ14 | CSD16412Q5A | IXFV52N30P

 

 
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