FMP03N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMP03N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для FMP03N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMP03N60E даташит

 ..1. Size:511K  fuji
 fmp03n60e.pdf pdf_icon

FMP03N60E

FMP03N60E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-220AB Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.5V)

Другие IGBT... TMU8N60AZ, IRF1405ZL-7PPBF, IRF1405ZLPBF, IRF1405ZPBF, IRF1405ZS-7PPBF, IRF1405ZSPBF, IRF1407PBF, IRF140SMD, IRF830, FMP05N50E, FMP05N60E, FMP06N60E, FMP06N60ES, FMP07N50E, FMP08N50E, FMP10N60E, FMP11N60E