FMP30N60S1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMP30N60S1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4670 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm

Encapsulados: TO-220

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FMP30N60S1 datasheet

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FMP30N60S1

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ FMP30N60S1 FUJI POWER MOSFET Super J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Low on-state resistance TO-220 10+0.5 0 4.5 0.2 1.3 0.2 Low switching loss easy to use (more controllabe switching dV/dt by R ) g Drain(D) Applications UPS 1.2 0.2 Server PRE-

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