FMP30N60S1 Todos los transistores

 

FMP30N60S1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FMP30N60S1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4670 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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FMP30N60S1 Datasheet (PDF)

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FMP30N60S1

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FMP30N60S1 FUJI POWER MOSFETSuper J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicLow on-state resistanceTO-22010+0.5 0 4.50.21.30.2Low switching losseasy to use (more controllabe switching dV/dt by R )gDrain(D)ApplicationsUPS1.2 0.2ServerPRE-

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History: IRFS450A | UF840KG-TF3-R | 2SK2312 | LSC60R290HF | CHM610ADPAGP | ME4920 | RQK0302GGDQS

 

 
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