Справочник MOSFET. FMP30N60S1

 

FMP30N60S1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMP30N60S1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4670 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FMP30N60S1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMP30N60S1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:465K  fuji
 fmp30n60s1.pdf pdf_icon

FMP30N60S1

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FMP30N60S1 FUJI POWER MOSFETSuper J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicLow on-state resistanceTO-22010+0.5 0 4.50.21.30.2Low switching losseasy to use (more controllabe switching dV/dt by R )gDrain(D)ApplicationsUPS1.2 0.2ServerPRE-

Другие MOSFET... FMP13N60ES , FMP16N50E , FMP16N50ES , FMP16N60E , FMP16N60ES , FMP20N50E , FMP20N50ES , FMP20N60S1 , IRF540N , FMP76-010T , FMR09N90E , FMR11N90E , FMR17N60ES , FMR19N60E , FMR19N60ES , FMR21N50ES , FMR23N50ES .

History: PK5G6EA | FDS6680S | ZXM64N035L3 | IRF7478PBF-1 | STN4260 | HMS60N10D

 

 
Back to Top

 


 
.