Справочник MOSFET. FMP30N60S1

 

FMP30N60S1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMP30N60S1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4670 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FMP30N60S1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:465K  fuji
 fmp30n60s1.pdf pdf_icon

FMP30N60S1

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FMP30N60S1 FUJI POWER MOSFETSuper J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicLow on-state resistanceTO-22010+0.5 0 4.50.21.30.2Low switching losseasy to use (more controllabe switching dV/dt by R )gDrain(D)ApplicationsUPS1.2 0.2ServerPRE-

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FR9N20D | IXTY2N100P | 2N7002P | FQI15P12TU | WMB115N15HG4 | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.