FMP30N60S1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMP30N60S1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4670 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для FMP30N60S1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMP30N60S1 даташит

 ..1. Size:465K  fuji
 fmp30n60s1.pdf pdf_icon

FMP30N60S1

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ FMP30N60S1 FUJI POWER MOSFET Super J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Low on-state resistance TO-220 10+0.5 0 4.5 0.2 1.3 0.2 Low switching loss easy to use (more controllabe switching dV/dt by R ) g Drain(D) Applications UPS 1.2 0.2 Server PRE-

Другие IGBT... FMP13N60ES, FMP16N50E, FMP16N50ES, FMP16N60E, FMP16N60ES, FMP20N50E, FMP20N50ES, FMP20N60S1, IRF540, FMP76-010T, FMR09N90E, FMR11N90E, FMR17N60ES, FMR19N60E, FMR19N60ES, FMR21N50ES, FMR23N50ES