FMP76-010T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMP76-010T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 635 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: I4-PAK
Búsqueda de reemplazo de FMP76-010T MOSFET
FMP76-010T Datasheet (PDF)
fmp76-010t.pdf

Advance Technical Information P CH. N CH.TrenchTM P & N-ChannelFMP76-010TPower MOSFETVDSS - 100V 100VCommon Drain Topology34 ID25 - 54A 62AT155 RDS(on) 24m 11m 43trr(typ) 70ns 67nsT21122ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +150 CTJM 150 CTstg -55 ... +150 CVISOLD 50/60HZ, RMS, t =
Otros transistores... FMP16N50E , FMP16N50ES , FMP16N60E , FMP16N60ES , FMP20N50E , FMP20N50ES , FMP20N60S1 , FMP30N60S1 , 50N06 , FMR09N90E , FMR11N90E , FMR17N60ES , FMR19N60E , FMR19N60ES , FMR21N50ES , FMR23N50ES , FMR23N60E .
History: IXKN75N60C | SPW11N60S5 | 2SK3161
History: IXKN75N60C | SPW11N60S5 | 2SK3161



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet