FMP76-010T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMP76-010T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 635 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: I4-PAK
Búsqueda de reemplazo de FMP76-010T MOSFET
FMP76-010T Datasheet (PDF)
fmp76-010t.pdf

Advance Technical Information P CH. N CH.TrenchTM P & N-ChannelFMP76-010TPower MOSFETVDSS - 100V 100VCommon Drain Topology34 ID25 - 54A 62AT155 RDS(on) 24m 11m 43trr(typ) 70ns 67nsT21122ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +150 CTJM 150 CTstg -55 ... +150 CVISOLD 50/60HZ, RMS, t =
Otros transistores... FMP16N50E , FMP16N50ES , FMP16N60E , FMP16N60ES , FMP20N50E , FMP20N50ES , FMP20N60S1 , FMP30N60S1 , 50N06 , FMR09N90E , FMR11N90E , FMR17N60ES , FMR19N60E , FMR19N60ES , FMR21N50ES , FMR23N50ES , FMR23N60E .
History: AFN4808W | 2SK3929-01MR | PMDPB56XNEA | DMP2018LFK
History: AFN4808W | 2SK3929-01MR | PMDPB56XNEA | DMP2018LFK



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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